4. FUNDAMENTOS DE LECTURA Y ESCRITURA EN MEMORIA FLASH

4.1 OPERACIÓN DE LECTURA

Se aplica un voltaje de lectura a la puerta de control y se compara la corriente resultante con un umbral: si la corriente fluye, representa un "1"; si no, es un "0" .

En NOR, el acceso es directo por byte y muy rápido. En NAND, las lecturas se hacen por página (varios KB), más lentas al inicio pero eficientes en lecturas grandes (Wikipedia, 2025).

4.2 OPERACIÓN DE ESCRITURA

El proceso de escritura es más complejo. Primero se debe borrar un bloque completo (típicamente de 128 o 256 páginas), colocando todos los bits en "1".
Luego, para escribir un "0", se usa un proceso llamado inyección de electrones por efecto túnel (Fowler–Nordheim), que carga la puerta flotante negativamente.

Este proceso es más lento que la lectura y también desgasta las celdas con el tiempo. (Edwards, 2012).